MOSFET 公式速查手册
理想MOS
能带弯曲(电势关系)
电荷-表面势-电压 速查
分区 | 积累 | 平带 | 耗尽( |
阈值 | 反型 |
---|---|---|---|---|---|
电荷 | |||||
表面势 | 0 | ||||
外加偏压 | |||||
其它 | |||||
耗尽层宽度 | 0 | 0 | |||
C-V
直观理解
理想积累:
定量计算
重要关系:
阈值电压点的电容
(
高频和深耗尽
弱反型和亚阈值区
理想因子
三端MOS
费米能级偏移,
栏目 | 三端MOS的阈值 |
---|---|
表面势 | |
外加偏压 | 如果用 |
电荷 |
长沟道MOSFET
理想MOSFET
判断源和漏: 总有
I-V
- cut-off:
- linear:
- saturation:
(即 )
Q-V、C-V
耗尽区电荷:
S对B、D对B、G对B三个方向的电荷、产生三种电容. 其中G对B的, 由于MOS的耗尽层在反型以后不再变化, 因此认为这一项电容为0
反型层电荷:
饱和区时, 上式化为:
对上式求导得到电容关系:
饱和区:
小信号模型
跨导:
电导:
截止频率
长沟MOSFET的非理想效应
亚阈值区:
理想因子:
体效应:
根源:
影响:
一阶近似
一阶近似结果:
其中
沟长调制效应:
一阶近似:
其中
影响: 饱和区不完全饱和, 电流随
串联电阻:
漏电
关态电流: 扩散电流、产生电流、雪崩电流;
BTBT(p-n+结之间的, 即源漏到体)
GIDL(也是隧穿, 不过是栅在源漏上方的一小片区域与源漏形成的隧穿)
栅极漏电