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MOSFET 公式速查手册
justaLoli
  2024-03-27 19:39:40   2024-03-28 10:03:22      175 字  1 分钟

理想MOS

能带弯曲(电势关系)

电荷-表面势-电压 速查

分区 积累 平带 耗尽() 阈值 反型
电荷
表面势 0
外加偏压
其它
耗尽层宽度 0 0

C-V

直观理解

理想积累: 耗尽: 理想反型:

定量计算

重要关系:

阈值电压点的电容

(, 在阈值电压点.该点 最长,总电容最小.)

高频和深耗尽

弱反型和亚阈值区

理想因子

三端MOS

费米能级偏移, 比 低, 表面势额外降低.

栏目 三端MOS的阈值
表面势
外加偏压
如果用,则是
电荷

长沟道MOSFET

理想MOSFET

判断源和漏: 总有 .

  1. cut-off:

  1. linear:

  1. saturation: (即 )

MOSFET 公式速查手册
posts/14474.html
作者
justaLoli
发布于
2024-03-27 19:39
许可
  1. 理想MOS
    1. 能带弯曲(电势关系)
    2. 电荷-表面势-电压 速查
    3. C-V
      1. 直观理解
      2. 定量计算
      3. 阈值电压点的电容
      4. 高频和深耗尽
    4. 弱反型和亚阈值区
    5. 三端MOS
  2. 长沟道MOSFET
  1. 理想MOS
    1. 能带弯曲(电势关系)
    2. 电荷-表面势-电压 速查
    3. C-V
      1. 直观理解
      2. 定量计算
      3. 阈值电压点的电容
      4. 高频和深耗尽
    4. 弱反型和亚阈值区
    5. 三端MOS
  2. 长沟道MOSFET