半导体物理概念
第一章 电子的运动状态
晶面，晶向
1.2(.2) 半导体中电子的状态和能带
布里渊区与能带：
1.3 半导体中电子的运动——有效质量
1.3.1 半导体中E与k的关系
以
1.3.2 半导体中电子的平均速度
波包中心的群速度：
结合
能带极值附近
1.4 空穴
1.5 回旋共振现象
1.5.1 k空间等能面
一维情况：
三维情况：
1.5.2 回旋共振描述
要看书。p18
1.6 硅和锗的能带结构
第三章 半导体中载流子的统计分布
3.1 状态密度
k空间中的量子态密度（计入自旋）（自旋简并，下值除2）
导带 (conduction band, c) 底附近状态密度
价带 (valence band, v)顶附近状态密度
状态密度有效质量
3.2 费米能级和载流子的统计分布
3.2.1 费米分布函数
3.2.2 玻尔兹曼分布函数
3.2.3 电子浓度和空穴浓度
3.3 本征半导体 (intrinsic semiconductor, i)
本征费米能级：
本征载流子浓度：
3.4 杂质半导体的载流子浓度
3.4.1 杂质能级上的电子和空穴
施主能级 donor level, D
受主能级 Acceptor level, A
电子 or 空穴占据杂质能级的概率：
注意这不是费米分布。
在杂质能级上的电子 or 空穴浓度 = 杂质浓度
3.4.2 n型半导体的载流子浓度
| case | zero charge requirement | ||
|---|---|---|---|
| general | |||
| extreme low T | |||
| strong | |||
| trans | … | … | |
| intrinsic | … | … |
恒成立表达式：
低温弱电离区
强电离区
过渡区和高温本征激发区
少数载流子浓度
3.5 一般情况的载流子统计分布
| case | zero charge requirement | ||
|---|---|---|---|
| extreme low T | |||
| strong | |||
| trans | … | … |
3.6 简并半导体
3.6.1 简并半导体的载流子浓度
3.6.2 简并化条件
3.6.4 禁带变窄效应
杂质能级退简并，成为杂质能带。
自补偿效应
第四章 半导体的导电性
散射
电离杂质散射
晶格振动的散射
- 升学波（声子散射）